采用Si+注入技术对部分耗尽的SIMOX材料进行改性加固，分别用改性加固材料和未改性加固的材料流片制作环栅MOSFET器件，对器件进行辐照......

为了研究氢气与辐射感生产物之间的作用关系,以栅控横向PNP双极晶体管为研究对象,分别开展了氢气氛围中浸泡后的辐照实验和辐照后......

通过分析总剂量辐照产生的界面陷阱的施主和受主性质 ,用半导体器件模拟软件 Medici模拟了NMOS、PMOS器件加电下辐照后的特性。结......

研究了VDMOS器件存在异常峰值电流的原因,提出了解释此现象的理论。异常峰值电流的大小由VDMOS元胞在P+body区之间neck区的界面状......

从氧化层俘获空穴和质子诱导界面态形成的物理机制出发,建立部分耗尽SOI器件总剂量辐射诱导的氧化层陷阱电荷和界面态物理模型,模......

随着核技术和空间技术的发展，越来越多的电子设备不可避免地应用于各种辐射环境中。介绍两类重要的辐射环境及现代工艺集成电路总剂......

本文研究了1 Gy(Si)/s的高剂量率辐照下,偏置条件对国产0.35μm SiGe BiCMOS工艺器件电离总剂量(Total ionizing dose,TID)辐射效......

为研究PowerVDMOS中辐照引起的氧化物陷阱电荷和界面态电荷情况,用Co-60源对PowerMOSFET进行了总剂量的辐照实验,移位测试了器件的......

通过调研分析,发现ESA/SCC 22900和MIL-STD-883G方法1019.7在剂量率的选择等方面存在较大差异。针对美国宇航局NASA发布的TID试验......