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文章首先分析了影响CMOS工艺下SRAM单粒子翻转效应的失效物理机理,然后提出一种加固PMOS管的10T存储单元电路。基于130nm CMOS工艺的Hspice模拟验证该电路的功能,结果表明,此新型10T加固SRAM存储单元有很好的抗单粒子翻转能力,最后通过新型的版图布局可以有效抗击存储器多位翻转(Multiple Bit Upset,MBU)。