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各向异性磁电阻(Anisotropic Magnetoresistance,AMR)在磁电阻随机存储器、磁记录和磁性传感器等方面具有重要的应用价值.在传统理论中,AMR可表示为,其中和分别为电流和磁化强度平行和垂直时的电阻率[1].
反应溅射CoxFe3-xO4外延薄膜的各向异性磁电阻
【摘 要】
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各向异性磁电阻(Anisotropic Magnetoresistance,AMR)在磁电阻随机存储器、磁记录和磁性传感器等方面具有重要的应用价值.在传统理论中,AMR可表示为,其中和分别为电流和磁化强度平行和垂直时的电阻率[1].
【机 构】
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天津大学理学院现代材料物理研究所,天津 300072 天津市低维功能材料物理与制备技术重点实验室,
【出 处】
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中国物理学会2012年秋季学术会议
【发表日期】
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2012年9期
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