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本文提出了一个基于表面势的耗尽层电流计算新方法，由于LDMOS结构的特殊性,其漂移区电流受到源漏栅电势的综合影响,难以确定。在现有的诸多模型中,常常将等漂移区等效为电阻,但这并不符合耗尽层电流传输的原理。本文从分析耗尽层载流子传输原理入手,得出了漂移区全耗尽时的电流公式。该公式可用于LDMOS的器件建模中。