新型季铵盐单体抗菌性及电化学性质探索

来源 :中国化学会2013年全国高分子学术论文报告会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:xiejie_850119
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2004 年,M.Venkatesan 等人[1]报道了未经掺杂的单斜结构的HfO2 薄膜中具有铁磁性,J.M.D.Coey[2]以及N.H.Hong [3]等人在实验上进一步证实了这一现象,很显然这一发现挑战了我们对传统磁学的认识,成为研究的热点.
采用第一性原理研究了过渡金属掺杂ZnO 的磁性和ZnO 中掺杂离子对的成核行为,我们得到ZnO 中过渡金属离子对(Co,Fe,Ni 和Cu)最稳定的掺杂位型.计算首先表明各种浓度(3.7%,5.6%,12.5%和25%)Co 掺杂ZnO 中的Co 离子对并没有成核的趋势,即Co 离子对间距离越大,体系能量越稳定,这时铁磁耦合和反铁磁的能量几乎简并,在室温下表现出顺磁耦合,因为室温下的热扰动会打破C
长期以来,随着信息产业的不断发展,在自旋电子学领域的研究越来越受到人们的广泛关注。而在设计发展相关的磁存储器件时,人们发现利用传统手段,如外加磁场或基于自旋转移矩的自旋电流等,来控制纳米磁单元的磁化强度方向会造成较大的能量损耗。
掺杂的锰氧化物由于表现出庞磁电阻效应而被广泛研究[1],特别是半掺杂锰氧化物中出现的电荷有序、轨道有序态已经成为大家研究电子强关联体系中电荷、轨道、自旋等自由度之间相互作用的重要平台[2]。