【摘 要】
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巨介电材料在微电子器件及高密度存储应用方面的巨大潜力使其受到研究者们越来越多的关注.Hu等人采用传统的固相烧结工艺制备的(Nb0.5In0.5)xTi1-xO3陶瓷获得了目前文献报道中最为优异的介电性能：巨介电常数(ε＞104,1000 Hz)和低介电损耗(tanδ=0.05,1000 Hz).但是由于In元素价格比较昂贵,导致陶瓷制备成本较高,不利于工业化生产.
【机 构】
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四川省非金属复合与功能材料重点实验室
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巨介电材料在微电子器件及高密度存储应用方面的巨大潜力使其受到研究者们越来越多的关注.Hu等人采用传统的固相烧结工艺制备的(Nb0.5In0.5)xTi1-xO3陶瓷获得了目前文献报道中最为优异的介电性能：巨介电常数(ε＞104,1000 Hz)和低介电损耗(tanδ=0.05,1000 Hz).但是由于In元素价格比较昂贵,导致陶瓷制备成本较高,不利于工业化生产.
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