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阶梯掺杂漂移区厚膜SOI LDMOS的研制

来源 :第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户：zjs999
【摘 要】
：
本文在1.5μm埋氧层、3.μm顶层硅的SOI材料上研制了漂移区为均匀掺杂、一阶阶梯掺杂和二阶阶梯掺杂的LDMOS.实验结果表明:在漂移区长度为20μm时,采用二阶掺杂漂移区可以实
【作 者】
：
郭宇锋 龚建荣 李肇基 张波 
【机 构】
：
南京邮电大学光电工程学院,210003
【出 处】
：
第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会
【发表日期】
：
2005年期
【关键词】
：
阶梯掺杂 漂移区 击穿电压 导通电阻 相同结构 埋氧层 顶层硅 低幅度 实验 长度 材料 
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本文在1.5μm埋氧层、3.μm顶层硅的SOI材料上研制了漂移区为均匀掺杂、一阶阶梯掺杂和二阶阶梯掺杂的LDMOS.实验结果表明:在漂移区长度为20μm时,采用二阶掺杂漂移区可以实现击穿电压和导通电阻的良好折衷.和相同结构的均匀掺杂漂移区相比,击穿电压可由160V提高到250V,提高幅度为36﹪,而导通电阻则由1.9Ωmm2降低到1.6Ωmm2,降低幅度为16﹪.
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