【摘 要】
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该系统运用一种新的数据处理运算概念,即比例差值算符,揭示了元器件的另一种本征特性-比例差值特性.提供的统一用户接口便于用户实现监测、快速数据采集和分析一体化.该系统适用于薄膜材料缺陷分析和多类半导体器件如二极管、三极管、场效应管、光电器件,以化合物半导体GaAs、InP、GaN等为材料的半导体器件,HEMT、SOI器件、导质结器件、晶片、IC等直流参数测量分析.主要应用于集成电路的计算机辅助设计(
【出 处】
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
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该系统运用一种新的数据处理运算概念,即比例差值算符,揭示了元器件的另一种本征特性-比例差值特性.提供的统一用户接口便于用户实现监测、快速数据采集和分析一体化.该系统适用于薄膜材料缺陷分析和多类半导体器件如二极管、三极管、场效应管、光电器件,以化合物半导体GaAs、InP、GaN等为材料的半导体器件,HEMT、SOI器件、导质结器件、晶片、IC等直流参数测量分析.主要应用于集成电路的计算机辅助设计(CAD),新元件的评价,材料评估,电路设计的元件选择,半导体生产的过程控制、质量控制及品质保证.
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本文主要研究了EDI(Electrodeionization)对高纯水中硼的脱除方法.通过对电压、进水电导率(淡室、浓室)、流量(淡室、浓室、极室)、pH值等因素的研究,得出EDI最佳脱硼条件.EDI进水硼浓度为50ìg/L,最佳出水中硼含量为<1ìg/L.满足了大规模集成电路用水中硼的要求(对于兆位电路,硼要求<1ìg/L).
本文针对微波功率管在老化试验中出现的失效现象进行分析,对于改进微波功率管的设计和工艺,提高器件的可靠性具有一定意义.
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测量了两种纳米粒子BiS和NiS的光限幅特性和非线性光学响应,测量了非线性吸收特性,数值模拟计算了它们的非线性吸收系数分别为BiS非线性吸收系数β≈9cm/GW,NiS非线性吸收系数β≈8cm/GW.
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