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在HBT外延生长SiGe基区时,通过掺入一定量(1×1020/cm3)的碳(C),有效抑制了SiGe HBT基区中高浓度硼(B)掺杂在器件热工艺过程中产生的热扩散和瞬态增强扩散效应,大大改善了HBT器件的直流特性和高频性能,Early电压达到2987V， 截止频率fr从7.4 GHz提高到12 GHz。