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主要研究了孔腐蚀工艺模块对良率的影响，通过250V VDMOS工艺的具体例子，详细分析了孔腐蚀工艺存在的问题，并在不断的实验引导下改进优化孔腐蚀的工艺过程。最终确立了先湿法后干法的孔腐蚀工艺模块。在优化过孔腐蚀的工艺下，栅源漏电问题得到解决，前后两次工程批对比芯片良率提高了10％。
孔腐蚀工艺优化对良率的改善
【摘 要】
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主要研究了孔腐蚀工艺模块对良率的影响，通过250V VDMOS工艺的具体例子，详细分析了孔腐蚀工艺存在的问题，并在不断的实验引导下改进优化孔腐蚀的工艺过程。最终确立了先湿法
【机 构】
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东南大学 国家专用集成电路系统工程技术研究中心,江苏 南京 210096
【出 处】
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第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
【发表日期】
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2007年期
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