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利用电子束蒸发技术以不同的沉积方式并经高温退火处理制备FeSi2薄膜，用XRD、FESEM和AFM手段对薄膜样品进行了表征，主要探讨了不同的蒸发沉积方式对薄膜结构的影响。结果表明直接蒸发FeSi2源以及蒸发Fe与Si源沉积Si／Fe／Si三层膜这两种方式得不到结晶质量较好的FeSi2材料，交替沉秘Fe、Si多层薄膜并经过900℃退火处理后样品出现了FeSi2相。