β-FeSi2薄膜相关论文
利用电子束蒸发技术以不同的沉积方式并经高温退火处理制备FeSi2薄膜，用XRD、FESEM和AFM手段对薄膜样品进行了表征，主要探讨了不同的......
采用室温直流磁控溅射Fe-Si组合靶的方法,经过后续Ar气氛围退火,在单晶Si（111）衬底上生长β-FeSi2薄膜。研究了溅射功率、工作气压、......
本文采用 X 射线衍射分析（XRD）结合原子力显微分析（AFM）及高分辨电子显微分析方法（HRTEM）,研究了 β-FeSi2 薄膜的形成和生长以及 Fe/Si ......
β-FeSi_2具有高的光电转化效率,是一种很有潜力的薄膜太阳电池材料。ZnO具有高的透过率,是一种优良的电池窗口材料。因此,制备高......
一种新型环境友好型半导体材料β-FeSi2以其优越的性能在光电、热电及光伏等领域的应用引起了人们的广泛关注。β-FeSi2的组成元素......
本文采用磁控溅射方法制备了均一大尺寸环境半导体β-FeSi2薄膜,并用X射线衍射、扫描电镜研究了不同Fe膜厚度对制备β-FeSi2薄膜的......
低温半导体相的铁硅化合物β-FeSi2以其优越的性能在近几十年来受到了国内外相关人士的广泛关注，逐渐成为热电、光电子、微电子和光......
半导体的迅猛发展肯定是和新材料、新器件的出现密不可分。伴随着6H-、4H-SiC体材料相继商品化，对SiC基光电器件的研究越来越引起了......
硅(Si)基电子学和集成电路已成为当代发展电子计算机、通信、电子控制和信息处理等高科技领域的强大支柱,因此,硅基半导体电子产业......
近年来,环境半导体β-FeSi2作为光电材料的研究引发了人们的广泛关注。本文通过直流磁控溅射+RTA的方法在Si(100)和4H-SiC(OOOI)衬......
用磁控溅射法沉积了Fe/Si多层膜和Fe单层膜,在真空和Ar气中热退火2 h后制备了β-FeSi2半导体光电薄膜.发现Fe/Si多层膜在880℃温度......
介绍了β-FeSi2的结构,β-FeSi2薄膜的光电特性以及β-FeSi2薄膜在太阳能电池方面的应用,指出了需要加强研究的方面.......
本文基于脉冲激光沉积（PLD）方法及热退火处理方式，利用输出波长为1064nm的Nd：YAG脉冲激光器在P型Si（100）衬底上生长了均匀的单相β-FeSi2......
报道了在单晶Si（100）衬底上，采用室温直流磁控溅射Fe—Si组合靶的方法，并经过后续气氛退火来制备β-FeSi2薄膜的结果。主要研究了退火......
以6H-SiC(0001)Si面和Si(100)为衬底,采用磁控溅射Fe-Si合金靶和Si靶两靶共溅射的方法,并经过后续的快速退火成功制备了β-FeSi2薄......
采用磁控溅射的方法，在高真空条件下，沉积金属Fe到Si（100）衬底上，然后通过真空退火炉在不同温度条件下对样品进行热处理，直接形成了β-Fe......
用磁控溅射法沉积了Fe／Si多层膜和Fe单层膜，在真空和Ar气中热退火2h后制备了β-FeSi2半导体光电薄膜。发现Fe／Si多层膜在880℃温度下......
采用脉冲激光沉积（PLD）法在P型Si（100）衬底上制备了β-FeSh半导体薄膜，并在沉积系统中进行了800℃、3h的原位高温退火过程，最后采用X射线......
采用射频磁控溅射方法,在Si（111）和石英衬底上制备了Fe/Si亚层厚度比不同的多层膜。多层膜的总厚度为252nm,Fe/Si亚层厚度比分别为1n......
铝掺杂氧化锌ZnO:Al（AZO）薄膜具有低电阻率、在可见光范围内的高透光率、耐H离子和H活性原子轰击等性能。这些优异的性能使其有望替......
本文对采用磁控溅射制备β-FeSi2薄膜的工艺进行了详细研究，制备了β-FeSi2薄膜，分析了β-FeSi2薄膜的生长机理。 利用XRD、EDAX......
本文采用室温直流磁控溅射Fe-Si组合靶的方法,并通过后续退火温度的优化得到了单一相高质量的β-FeSi2薄膜。结果表明,在本实验条......
采用离子束溅射Fe靶的方法在500～800℃的Si（111）衬底上制备出不同种类的铁硅化合物。当衬底温度为700℃时得到厚度为500nm的单相的β-......
