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该文测定了由十二种不同成膜工艺所制备的金属薄膜（Ａｌ膜及Ａｌ－１℅Ｓｉ膜）在不同温度（Ｔ）下的薄层电阻（Ｒｓ）值（Ｔ的范围：２９３Ｋ→１５Ｋ）及其电迁移中位寿命ＭＴＴＦ，并对成膜工艺进行了评价。数据分析表明：各金属薄膜的Ｒｓ～Ｔ关系表现出同一规律；金属薄膜的高低温电阻比ＲＲ与ＭＴＴＦ存在很好的线型关系，ＲＲ是一个有效的金属膜质量在线监测器。