【摘 要】
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本文采用反应电子束蒸发法,在普通玻璃衬底上生长了高迁移率透明导电IWO薄膜,并将这种薄膜用于染料电池.以导电膜FTO为对比组,采用原子力显微镜测试了IWO和FTO在电解质处理前后的形貌,用霍尔测试仪测试了这两种导电膜的方块电阻和热稳定性,采用紫外可见分光光度计测试了它们的透过率,最后在AM1.5的条件下测试了电池的光电性能,测试结果表明:导电膜IWO表面比FTO表面平滑,并且电解质不会对导电膜的形
【机 构】
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南开大学光电子薄膜器件与技术研究所& 南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室&南开大学光电信息技术科学教育部重点实验室,天津 300071 河北工业大学 信息功能材料研究所,天津 300130
【出 处】
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第12届中国光伏大会暨国际光伏展览会(CPVC12)
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本文采用反应电子束蒸发法,在普通玻璃衬底上生长了高迁移率透明导电IWO薄膜,并将这种薄膜用于染料电池.以导电膜FTO为对比组,采用原子力显微镜测试了IWO和FTO在电解质处理前后的形貌,用霍尔测试仪测试了这两种导电膜的方块电阻和热稳定性,采用紫外可见分光光度计测试了它们的透过率,最后在AM1.5的条件下测试了电池的光电性能,测试结果表明:导电膜IWO表面比FTO表面平滑,并且电解质不会对导电膜的形貌产生影响；IWO薄膜的方块电阻会随温度的升高而增大,而FTO则不会；在整个可见光范围内,FTO对光的透过率要略高于IWO；用IWO薄膜组装的染料电池的光电转化效率为2.77％,这一结果说明,染料电池中,高迁移率透明导电膜IWO具有替代目前通用的导电膜FTO的潜力.
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