【摘 要】
：
半固态合金在压力作用下的充型能力是影响产品性能和废品率的重要因素.正交实验研究发现,模具温度、坯料加热温度、坯料保温时间对半固态合金充型能力有显著影响.春中,模具温
【机 构】
：
北方交通大学(北京)清华大学(北京)
论文部分内容阅读
半固态合金在压力作用下的充型能力是影响产品性能和废品率的重要因素.正交实验研究发现,模具温度、坯料加热温度、坯料保温时间对半固态合金充型能力有显著影响.春中,模具温度影响最显著,其次是加热温度,保温时间影响最小,加热温度和模具温度之间在交互作用, 其影响作用超过了保温时间.提高模具温度、加热温度和保温时间都可以改善半固态合金的充型能力.理论分析得出,半固态合金的充型能力取决于坯料的临界切应力τ<,c>型腔压力P<,m>、挤压夺力P<,j>及充填孔尺寸R,并与合金的表面张力σ有关.最大垂直充填高度为最大水平充填长度分别为H<,max>=(P<,j>-P<,m>-2σ/R)/(2τ<,c>/R-ρg)和L<,max>=(P<,j>-P<,m>-2σ/R)/2τ<,c>/R.粗略估算公式为L<,max>=(P<,j>-R/2τ<,c>.
其他文献
利用烧结金属介质的过滤技术为颗粒物质从气体或液体中分离提供了杰出的工作性能(例如,液固和气固分离),这一技术被大量应用于工业气体和液体过滤。烧结金属介质由金属纤维或
本文简要地介绍了纳米耐高温阻燃纤维及其过滤材料的性能及特点,并对国内外同类产品进行了综合对比分析。
采用蓝宝石为衬底的AlGaN/GaN外延材料,台面工艺隔离,Ti/Al/Ni/Au欧姆接触金属,Ni/Au肖特基接触金属,空气桥方法将源连接等主要技术,制备了GaN基HEMT器件.
本文采用国产4H-SiC外延片,在2GHz下研制出输出功率1.3W、功率增益6.5dB的功率SiC MESFET,并对芯片加工工艺和器件的测试技术进行了分析,给出了相应的工艺和测试结果.
提出了通过ICP槽侧壁扩散和填充多晶硅注入推进相结合实现源与衬底连接的LDMOS器件结构,并利用该结构进行了LDMOS器件研制,获得了初步研制结果.
集成电路设计技术支撑服务体系,英文中可统称为Design Technology Infrastructure,包括了完成集成电路设计所需要的一系列专门的技术手段,涉及到现代工业管理方法.其目的不仅
本文介绍SSIPEX为帮助业界克服SoC芯片设计和IP复用中的挑战,即将推出围绕众多热点应用和主流CPU/DSP的可扩展重构和IP评测固化和SOC技术服务平台,降低IP集成复用的技术风险
本文报道了低压、高线性、高效率CDMA功率放大器的设计与制造.该放大器采用GaInP/GaAs HBT技术,芯片尺寸:1.1mm×1.4mm,并利用LGA封装技术将芯片和10个元件封装在6mm×6mm×1
随着聚合物改性砂浆中聚合物掺量的变化,聚合物改性砂浆的柔韧性能会发生变化。本文通过断裂能、抗压模量、极限压应变、压折比四个指标来探讨聚合物改性砂浆的柔韧性。研究
本文主要从我国火电厂烟气脱硫技术发展、脱硫石膏基本性能、国内外脱硫石膏应用现状等方面论述了我国脱硫石膏资源化利用的现状,分析了影响脱硫石膏资源化利用的制约因素,探