论文部分内容阅读
本文简要论述提高光刻分辨率的几种所谓增强光刻技术,如相移掩模技术,离轴照明和光学邻近效应校正的基本原理和相关技术.
提高光刻分辨率的光刻技术
【摘 要】
：
本文简要论述提高光刻分辨率的几种所谓增强光刻技术,如相移掩模技术,离轴照明和光学邻近效应校正的基本原理和相关技术.
【机 构】
：
中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点实验室(中国成都) 四川大学物理系(中国成都)
【出 处】
：
第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
【发表日期】
：
2002年3期
其他文献
CHF导入式倍捻锭子,是以倍捻锭子为基础发明的一种能直接对喂入纱线进行加捻成筒的锭子,可用于纺纱,也具有纺制花式纱线和合股加捻的功能.从理论上说,将CHF导入式倍捻锭子装在环锭细纱机上,它转一圈加两个捻度,与环锭速度相同的情况下可将产量提高近一倍;同时能将纱线卷装成大筒子,实现细纱大卷装.CHF导入式倍捻锭子可以说是环锭卷捻技术的革新,是解决传统环锭纺纱提高速度矛盾的一种方法.另一方面将它用于捻线
花式纱线具有结构特殊、纱线形状各异、颜色不一的特点,是广泛用于家用纺织装饰织物的新型纱线原料.用花式纱线织造的各种织物具有美观、新颖、高雅、舒适、柔软、别致的特点,是近年来非常流行的一种新型装饰织物.当前,花式纱线产品越来越精美,工艺参数日益精细,这对工艺的要求进一步的提高.面对瞬息万变的市场需求,创新是企业的核心竞争力.迅速开发出新型花式纱线,可以有效地提高企业的竞争力.目前,花式纱纺纱的工艺参
随着市场上纺织品的变化,花式纱线的新品种也层出不穷,因而对花式纱线机械的要求也在不断提高.目前生产各种花式纱线机械的厂家不少,层次各不相同,面对的市场也各不相同,但都面临着技术进步的内在需求.在目前竞争剧烈的市场上,技术进步就意味着市场的扩大和利润的最大化.花式纺纱机械是纺织机械中的旁门另类机械,它将纺纱生产中的疵点等缺陷扩大为花式纱线而自成一派.至今也开创出一片新天地.自20世纪70年代发展到现
记得在苏州开的第五次花式纱线技术交流会上我也谈过花式捻线机的现状和展望,转眼已经七年过去了.在这几年中我国的花式捻线机已有了很大的进步.这一点可以从今年上海国际纺织机械展览会看出.如宏源无锡五纺机展出的九罗拉双牵伸花式捻线机,这种机型采用二根中罗拉和二根后罗拉、双皮圈、公用前罗拉.该花式捻线机在国内处于领先地位,并出口到土耳其.它可以用二组不同颜色、不同纤维成分和长度、粗细不同的粗纱喂入,通过各自
全球化促进了资源的优化配置,也带来了超越以往的激烈竞争.面对激烈的市场竞争,很多企业将低成本作为竞争的重要手段,微利成为这一时代鲜明的特色.2005年配额取消以来,纺织品服装国际贸易形势错综复杂,这些矛盾与纷争实际上最终是围绕一个"利"字,而且"利"越少,大家的争执就越大.目前,"中国制造"以低成本优势席卷全球,但是这种低成本优势更多的是建立在低廉的生产要素(如人力成本等)基础上的,而非通过提高效
针对移动通讯用GaAs开关集成电路,采用Agilent-VEE软件,建立多端口GaAs开关电路的RF参数自动测试系统,完成器件的快速测试、数据处理、产品筛选等功能,满足GaAs器件批量生产的需求.
电子产品的小型、轻量、多功能、智能化的要求,同时也对集成电路的封装提出了更高的要求.本文主要叙述了芯片的倒装技术的工艺流程,工艺难点,倒装技术的最新发展,芯片倒装中粘合剂添加工艺的影响因素.
本文阐述了用MBE方法在蓝宝石衬底上制备的GaN基p-i-n多层结构,应用常规的半导体工艺制成紫外探测器件,并对其特性进行了研究,得出其正向导通电压为5.2V,反向击穿电压大于40V,反偏5V时的暗电流为0.127nA,以80W高压汞灯照射时反偏5V时明电流为6.739nA,明暗电流之比为53.06.
本文探讨了SI GaAs单晶片的PL mapping均匀性与阈值电压均匀性的关系.初步认为,单晶片的PL mapping均匀性可以综合反映材料参数的均匀性,可以反映整个圆片的阈值电压均匀性.PL mapping测试技术是GaAs数字电路研究、生产的有效测试手段.
在n-GaN上制备Ti/Al/Ni/Au、Ti/Au/Pd/Au&Cr/Au/Ni/Au三种不同金属化系统,并对其不同温度下的欧姆接触的接触电阻率进行了比较和分析.室温下Ti/Al/Ni/Au & Ti/Au/Pd/Au的接触电阻率都在,但在高温下(300℃),其接触电阻率增加到以上.随着温度的升高,Cr/Au/Ni/Au的接触电阻率略有增加,室温下的电阻率有待进一步的改进.