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会议论文
MOCVD设备中气相反应对晶体生长的影响
MOCVD设备中气相反应对晶体生长的影响
来源 :第17届全国晶体生长与材料学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:tony_yang123
【摘 要】
:
MOCVD生长半导体晶体过程中存在严重的气相化学反应,会降低源的利用率,增加系统的能耗,影响批次晶片的均匀性和所有晶片的生长质量,使得设备的重复性和稳定度难以达到要求。
【作 者】
:
魏光华
【机 构】
:
上海交通大学
【出 处】
:
第17届全国晶体生长与材料学术会议
【发表日期】
:
2015年期
【关键词】
:
MOCVD设备
气相反应
晶体生长
气相化学反应
半导体晶体
MOCVD生长
生长质量
晶片
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MOCVD生长半导体晶体过程中存在严重的气相化学反应,会降低源的利用率,增加系统的能耗,影响批次晶片的均匀性和所有晶片的生长质量,使得设备的重复性和稳定度难以达到要求。
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