【摘 要】
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本文介绍一种已研发成功的便携式聚光型硅基太阳能电池组件性能测试系统，阐述其组成结构及工作原理。该系统以Agilent34970A仪器为数据采集核心，集成了各种不同类型模块化的传感器，实现了在低倍聚光下电池组件多路温度信号、电信号及太阳辐照度的同步在线测量，并结合相应的上位机软件实现了虚拟测量的功能。实验结果表明，该系统提高了聚光下光伏电池组件性能参数测量的效率，达到了设计要求，相关数据为低倍聚光光
【机 构】
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东南大学能源与环境学院太阳能技术研究中心,南京 210096
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本文介绍一种已研发成功的便携式聚光型硅基太阳能电池组件性能测试系统，阐述其组成结构及工作原理。该系统以Agilent34970A仪器为数据采集核心，集成了各种不同类型模块化的传感器，实现了在低倍聚光下电池组件多路温度信号、电信号及太阳辐照度的同步在线测量，并结合相应的上位机软件实现了虚拟测量的功能。实验结果表明，该系统提高了聚光下光伏电池组件性能参数测量的效率，达到了设计要求，相关数据为低倍聚光光伏发电系统的性能分析提供了可靠的依据。
其他文献
早在19世纪光敏化技术的发现和20世纪60年代到90年代半导体光电化学和纳米技术的飞速发展，染料敏化太阳电池的研究一直处于研究的前沿，但早期在这方面的研究主要是集中在平板电极上，由于平板电极表面只能吸附单分子层染料，其光电转换效率始终在1％以下无法得到提高，远未达到实用水平。瑞士洛桑高等工业学院(EPFL)Gr(a)tzel教授领导的小组一直致力于染料敏化太阳电池(DSC)的研究。1991年，他们
采用掠角热丝化学气相沉积(GLAD-HWCVD)技术，在140℃的衬底温度下，制备了定向生长的晶化硅纳米棒(silicon nanorods，SiNRs)。发现了在同样的实验条件下，掠角生长的硅纳米棒比基元垂直入射下生长的硅薄膜更容易晶化的新现象。在自组装有序SiO2颗粒模版上生长的硅纳米棒表现出均匀的纵向生长。制备了硅纳米棒/聚3-己基噻吩(P3HT)有机-无机复合太阳电池，初步获得了1％的转换
本文研究了阳极缓冲层poly(3，4-ethylenedioxythioplaerie)：poly(styrenesulphonic acid)(PEDOT：PSS)掺入不同浓度的乙二醇对聚合物太阳能电池性能的影响。利用暗电导分析了掺杂不同浓度乙二醇的PE-DOT：PSS电导率的变化;利用原子力显微镜(AFM)分析了掺杂不同浓度乙二醇对PEDOT：PSS表面形貌的影响;通过测试器件的光、暗态J-V
本文在导电的PEN柔性基底上，重点针对分散剂、有无水解、烧结温度等工艺条件对柔性TiO2薄膜进行了初步探索，最后将它们应用于柔性染料敏化太阳电池中，得知采用乙二醇乙醚为分散剂，烧结温度为140℃，TiO2薄膜水解的条件下，得到较高质量的柔性TiO2薄膜，获得柔性电池的较高效率为2.34％。
本文从表面等离子激元对叠层电池电学特性影响方面入手，研究了纳米Ag颗粒表面等离子激元对np隧穿结电阻的影响问题。采用20nm微晶n层/20 nm微晶p层的测试结构对模拟叠层电池np隧穿结特性进行模拟，并在其中引入纳米Ag颗粒作为中间层。通过对np结构与n/interlayer/p结构的光态及暗态I-V特性对比分析表明：叠层电池中的np隧穿结具有良好的欧姆接触特性，能够形成载流子的有效隧穿复合;在n
针对太阳电池存在带隙限制不能吸收利用太阳光谱中近红外的长波低能光子，提出利用多种稀土离子共同掺杂，实现太阳电池用宽谱域上转换材料的设计与合成。并且考虑到材料的发光效果和材料尺寸大小的关系，制备出了不同稀土离子掺杂的微米级上转换材料。最后提出了一种可以检测上转换材料在电池中应用效果的装置，并且通过该装置考察了制备上转换材料在电池中的应用效果，为加深第3代太阳电池的研究奠定了很好的基础。
用AMPS1D软件模拟计算了CdTe薄膜电池中背接触层的结构和掺杂水平等因素对电池性能的影响。引入ZnTe或Cd1-χZnχTe复合背接触层都会在电池背接触区域形成一个与pn结方向相同的电场，从而提高空穴的收集效率并反射电子，改善器件性能。ZnTe：Cu薄膜的Cu浓度在5％～7.5％之间均可获得15.4％以上的电池效率。应用Zn组分为0.6的Cd1-χZnχTe薄膜能最大限度地降低界面态，明显提高
本文研究了染料敏化太阳电池光电转换效率与敏化剂分子、电子结构及谱学性质之间的关联，设计出了系列新型卟啉、酞菁和联吡啶钌敏化剂候选体，分析表明其中有数种设计方案均有希望突破相应类型敏化剂敏化电池光电转换效率的世界纪录。对目前用做标准染料的高效敏化剂N3和N719的合成路线进行了优化改进，新路线经济、环保，更有利于实现工业化生产。
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硅单晶生产企业需要从市场购买多晶硅作为原料。然而，使用购进的免洗多晶硅来拉制单晶时，由于熔体表面有浮渣，使得单晶断棱，成品率不高，必须自己重新酸洗才能用于拉晶。本文通过大量实验工作，发现由于一些多晶硅块上有裂纹和深缝，其中内藏的残酸难以漂洗干净，拉晶时残留酸会与石英坩埚壁起化学作用，使坩埚析晶，产生浮渣，是影响成晶的主要原因。建议多晶硅生产企业采用水淬法来破碎长硅棒，就可有效避免裂纹。同时也建议多