LSAW方法探测low-k介质膜硬度特性实验中的信号处理

来源 :第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户：jacychang

【摘要】

：

集成电路金属互连系统的绝缘材料采用low-k介质是近期(按ITRS2004Update,2009年以前)集成电路互连系统发展的迫切需要.介质中纳米孔的引入有效降低了k值,却使其硬度特性退化,

【作者】

：

肖夏;白茂森;

【机构】

：

天津大学电子信息工程学院,天津,300072

【出处】

：

第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会

【发表日期】

：

2005年期

下载到本地 , 更方便阅读

下载此文赞助VIP

声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架

论文部分内容阅读

集成电路金属互连系统的绝缘材料采用low-k介质是近期(按ITRS2004Update,2009年以前)集成电路互连系统发展的迫切需要.介质中纳米孔的引入有效降低了k值,却使其硬度特性退化,带来与现行CMP工艺兼容性的挑战.LSAW技术能够快速、准确、无损伤的表征low-k介质薄膜的硬度特性.本研究实现了LSAW实验中信号的有效处理,设计出自动、快速、准确的分析出测试样品杨氏模量值的方法.

其他文献

记者自有优势在——采写通讯《洞穿群山》的追忆

社会上的各种职业,都有它的特殊位置,特殊优势,特殊作用,别人难以代替。新闻记者这个职业,在社会上也有它的特殊位置,特殊优势,特殊作用,也是别人所难以代替的。自觉地认识

期刊

合保韩贵《河南日报》县委书记撞击声南寨我不知道去问山区建设三官庙

InP HBT发射结微短路现象研究

本文针对磷化铟基(InP)自对准异质结双极型晶体管(HBT)工艺过程中,基极与发射极之间发生微短路造成HBT失效的各种现象进行分析,建立理论模型,分析微短路产生这些现象的原因,

会议

发射结微短路异质结双极型晶体管磷化铟基理论模型工艺过程自对准发射极失效基极方法

退火温度对铝互连线热应力的影响

本文采用二维面探测器XRD测量1um及0.5um厚AL互连线退火前后的残余应力.沉积态AL线均为拉应力,且随膜厚的增加而减小.沿长度方向的应力明显高于宽度方向的应力,表面法线方向

会议

退火温度铝互连线热应力二维面探测器残余内应力法线方向测试结果测量残余应力拉应力沉积态取向膜厚宽度晶粒方法长度表面

超薄Si3N4/SiO2叠层栅介质可靠性以及寿命预测

本文成功地制备出等效氧化层厚度为亚2nm的N/O叠层栅介质膜,并将其与W/TiN难熔金属栅电极技术结合起来,成功地制备出高质量的超薄N/O叠层栅介质难熔金属栅PMOS电容.实验结果

应变硅结构的高分辨X射线衍射术及其图谱分析

本文运用高分辨X射线双晶衍射(DCD)、三轴晶衍射(TAD)和TAD图谱对绝缘体上Si/SiGe/Si异质结构进行表征.利用TAD结合DCD(TAD-DCD)对称和非对称衍射测定了体Si衬底和外延层以及

会议

基于载流子方法的双栅MOSFET解析模型发展

本文提出一种完全不同的基于载流子方法的双栅MOSFET解析模型。针对无掺杂对称双栅MOSFET结构，该模型由求解泊松方程的载流子分布和Pao-Sah电流形式直接发展而来。

会议

载流子方法双栅载流子分布解析模型泊松方程求解流形结构掺杂

隧道氧化层的击穿电荷量特性与EEPROM耐久性评价

本文利用MOS电容测试结构研究了恒定电流应力下击穿电荷量QBD的特性.研究表明QBD与电流密度和电流方向有关.QBD随着电流密度的增大而减小,正电流偏置应力下的QBD较大,通过物

会议

隧道氧化层击穿电荷量特性电流密度电流应力物理模型实验现象结构研究电容测试电流方向测试方法耐久性评价偏置论文解释恒定

基于ADS的GaAs异质结放大器电路的失效分析

本文对一种新型GaAs异质结双极型集成放大器进行版图提取,对GaAs器件的失效机理进行了分析,并采用ADS(AdvancedDesignSystem)仿真环境对其电路进行模拟,从仿真的角度证实了失

会议

异质结放大器电路集成放大器失效机理理论分析仿真环境版图提取双极型实验器件模拟

BGA封装可靠性试验

本文简单的介绍了与BGA封装引出端有关的两项可靠性的试验方法,一种是可焊性,另一种是BGA焊球剪切.

会议

封装试验方法焊球剪切引出端可靠性可焊性

“这个老师就是棒”

我是方城县柳河乡孟庄村农民,是《新闻爱好者》的忠实读者,在她的指导下,去年以来,我已在地区以上报刊电台发表稿件21篇,今年5月被杨集乡政府聘为专职报道员. 到新的工作岗

期刊

报道员杨集乡柳河乡玉栋孟庄村工作岗位姜保就这样团委书记还一

LSAW方法探测low-k介质膜硬度特性实验中的信号处理

与本文相关的学术论文