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由于其高迁移率、稳定性好、制作工艺简单等优点，非晶金属氧化物IGZO 薄膜晶体管成为研究热点.IGZO 有In2O3、Ga2O3 和ZnO构成，其禁带宽度在3.5eV 左右，是一种N 型半导体材料.以IGZO为有源层，我们制备了底栅顶接触型的薄膜场效应晶体管(FET)并研究了其光敏特性.
以IGZO为有源层的薄膜场效应晶体管及其光敏特性研究
【摘 要】
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由于其高迁移率、稳定性好、制作工艺简单等优点，非晶金属氧化物IGZO 薄膜晶体管成为研究热点.IGZO 有In2O3、Ga2O3 和ZnO构成，其禁带宽度在3.5eV 左右，是一种N 型半导体材
【机 构】
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纳米光子学与超精密光电系统北京市重点实验室,北京理工大学,北京 100081
【出 处】
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第十三届全国固体薄膜学术会议
【发表日期】
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2012年期
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