【摘 要】
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利用射频等离子体辅助分子束外延(RF-MBE)法,我们在LSAT(111)衬底上制备ZnO单晶薄膜.对比研究了O等离子体预处理以及金属Zn薄层预沉积等不同衬底预处理工艺对ZnO外延膜的生长过程、外延取向关系以及表面形貌的影响,发现O等离子体预处理法可获得高质量的单一氧极性ZnO薄膜.本文还讨论了生长温度在完全消除ZnO薄膜旋转畴中的作用.
【机 构】
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中科院物理研究所表面物理国家重点实验室(北京)
【出 处】
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
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利用射频等离子体辅助分子束外延(RF-MBE)法,我们在LSAT(111)衬底上制备ZnO单晶薄膜.对比研究了O等离子体预处理以及金属Zn薄层预沉积等不同衬底预处理工艺对ZnO外延膜的生长过程、外延取向关系以及表面形貌的影响,发现O等离子体预处理法可获得高质量的单一氧极性ZnO薄膜.本文还讨论了生长温度在完全消除ZnO薄膜旋转畴中的作用.
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