【摘 要】
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ULSI的飞速发展对器件加工技术提出了众多特殊要求.其中,MOS器件特征尺寸进入亚0.1μm领域时亚50nm超线结掺杂区的形成就是一个重要的挑战.本文论述了深亚和超深亚微米MOS器件对超浅结离子束掺杂技术的特殊要求和发展超浅结的主要动力,介绍了目前超浅结离子掺杂技术的最新发展并对其前景进行了展望.
【出 处】
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第十一届全国电子束、离子束、光子束学术年会
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ULSI的飞速发展对器件加工技术提出了众多特殊要求.其中,MOS器件特征尺寸进入亚0.1μm领域时亚50nm超线结掺杂区的形成就是一个重要的挑战.本文论述了深亚和超深亚微米MOS器件对超浅结离子束掺杂技术的特殊要求和发展超浅结的主要动力,介绍了目前超浅结离子掺杂技术的最新发展并对其前景进行了展望.
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