论文部分内容阅读
利用质量分离的低能离子束技术,得到了重掺杂磁性杂质Fe的Si:Fe固溶体薄膜.俄歇电子能谱法(AES),X射线衍射法(XRD)以及X射线光电子能谱法(XPS)对薄膜特性进行测试.AES深度分析结果表明Fe离子浅注入到Si衬底,注入深度约为42nm.XRD结构测量发现只有Si的衬底衍射峰,没有其它新相.XPS对样品表面分析发现Fe2p峰束缚能对应于零价Fe,没有硅化物形成.这些结果表明重掺杂Fe的Si:Fe固溶体薄膜被制备.