【摘 要】
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我们用MBE生长得到一系列不同Mn含量的GaMnAs外延层,其X-射线衍射峰的半高宽为(40-90sec),在含5﹪的Mn的样品中所测到的铁磁居里转变温度约为110K.在居里点以下至10K,样品表现出良好的金属导电特性,同时我们也讨论了GaMnAs的晶格常数随Mn组份的变化关系以及GaMnAs的电阻率随温度的和退火条件的变化曲线.
【机 构】
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香港科技大学物理系 材料物理重点实验室,中科院固体物理研究所(合肥)
【出 处】
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
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我们用MBE生长得到一系列不同Mn含量的GaMnAs外延层,其X-射线衍射峰的半高宽为(40-90sec),在含5﹪的Mn的样品中所测到的铁磁居里转变温度约为110K.在居里点以下至10K,样品表现出良好的金属导电特性,同时我们也讨论了GaMnAs的晶格常数随Mn组份的变化关系以及GaMnAs的电阻率随温度的和退火条件的变化曲线.
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