【摘 要】
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本文提出了一种具有多凹陷源/漏漂移区的双凹栅4H-SiC MESFET器件结构.仿真结果表明,具有多凹陷源/漏漂移区的双凹栅4H-SiC MESFET饱和漏极电流比传统结构大18.8％,并且击穿电
【机 构】
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西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,陕西 西安 710071
【出 处】
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第十八届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
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本文提出了一种具有多凹陷源/漏漂移区的双凹栅4H-SiC MESFET器件结构.仿真结果表明,具有多凹陷源/漏漂移区的双凹栅4H-SiC MESFET饱和漏极电流比传统结构大18.8％,并且击穿电压从传统结构的96 V提高到143 V,增幅约为49％.最大输出功率密度达到5.53 W/mm,远大于传统结构的2.88 W/mm.而多凹陷源/漏漂移区的存在阻止栅下耗尽区向两侧扩展,最终使电容特性提高.因此,与传统结构相比,具有多凹陷源/漏漂移区的双凹栅4H-SiC MESFET的直流和射频特性更具优势.
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