刻蚀损伤相关论文
AlGaN/GaN HEMT的有源区台面间泄漏电流是关态泄漏电主要组成部分,隔离工艺与器件缓冲层材料特性都对有源区间泄漏电流有明显影响.......
通过将溶胶凝胶法制备的锆钛酸铅(PZT)在非晶态和多晶态进行刻蚀,对比未经刻蚀的PZT性能,研究了集成工艺中湿法刻蚀造成极化和耐久......
通过反应离子刻蚀(RIE)系统地研究了射频功率、压强和气体流量对4H-Si C刻蚀的影响,并进一步研究了刻蚀损伤对金属场板结构4H-Si C......
圆弧刃金刚石刀具作为超精密切削加工中的重要组成部分,其刃磨质量将直接影响到对材料的加工质量和刀具的使用寿命。目前金刚石刀......
提出了提高硅深反应离子刻蚀的新方法.该方法在硅的侧壁PECVD淀积SiO2,硅的底部采用热氧化的方法形成SiO2.由于在刻蚀中硅与SiO2的......
刻蚀是微器件制作中的关键技术之一,刻蚀结果会直接影响器件的性能.ICP(Inductively Coupled Plasma)刻蚀技术具有刻速快、各向异......
由于铁电薄膜材料优异的电学性能、稳定的温度特性和丰富的材料体系,近年来,基于硅工艺的铁电器件在微电子机械系统、新能源光伏,......
由于具有良好的电学特性和热学特性，GaN材料近年来成为研究的焦点。刻蚀是半导体光电器件制作过程中广泛使用的基本工艺过程。本文......
GaN由于其优越的物理性质和在高温高频大功率电子器件中的应用潜力,近年来一直得到了许多研究者的青睐。尤其是当p-GaN材料生长的......
在常规的等离子体刻蚀的基础之上,一种基于循环方式的逐层刻蚀方法得到了进一步改善方案,其目的就是把经过曝光、显影后光刻胶微图......
试验研究了N+注入选育产蛋白酶益生菌及其生物学效应.经N+反复注入诱变筛选,突变高产菌株的酶活由出发菌株的75.8IU.g-1提高到631.......
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主要研究了GaAlAs/GaAs多层结构波导的ICP(inductiveIy coupled plasma)刻蚀,评述了使用PECVD制作的SiO2做掩膜的优点,分析了气体......
应用CH4/H2/Ar作为刻蚀气源对InSb微台面阵列进行了反应离子刻蚀,并对刻蚀后引入的损伤进行了分析。实验证实利用干法刻蚀与湿法腐......
研究了H+、N+、Ar+低能离子注入酵母菌剂量对存活率的影响;离子注入对酵母细胞的刻蚀损伤作用和离子注入后对细胞内自由基产生的影......
主要分析了不同工艺参数对于刻蚀图形的影响，包括刻蚀侧壁角度，刻蚀表面平整度，选择比，侧向钻蚀等几个方面，及ICP刻蚀对激光器性能的影......
首先综述了相变材料等离子体刻蚀技术的研究进展,然后讨论了影响相变材料等离子体刻蚀的主要工艺参数,如线圈功率、腔体气压、偏压......
通过电流-电压法（I-V），电容-电压法（C-V）对n—GaN材料的ICP（感应耦合等离子体）刻蚀样品和未刻蚀样品上的肖特基势垒二极管的电学特性进行......
通过将溶胶凝胶法制备的锆钛酸铅（PZT）在非晶态和多晶态进行刻蚀,对比未经刻蚀的PZT性能,研究了集成工艺中湿法刻蚀造成极化和耐久性......
在常规的等离子体刻蚀基础上,介绍了一种基于循环方式的逐层刻蚀方法及进一步改善的方案,可以有效解决常规等离子体刻蚀的深宽比相......
对比了RIE,ECR,ICP等几种GaN干法刻蚀方法的特点。回顾了GaN干法刻蚀领域的研究进展。以ICP刻蚀GaN和AlGaN材料为例,通过工艺参数......
采用Cl2/Ar作为刻蚀气体．研究了在感应耦合等离子体干法刻蚀GaN、Al0.27，Ga0.73N材料中工艺参数对刻蚀速率及选择比的影响．GaN与Al0.2......
碲镉汞（HgCdTe,MCT）双色器件是第三代红外焦平面探测器的典型代表。无损或者低损的微台面芯片阵列刻蚀是制备高性能双色器件的关键技......
通过实验方法找出了去损伤刻蚀的最佳工艺参数，并研究了利用ICP两步刻蚀法去除刻蚀损伤的实验过程及结果．从实验结果可以看出，当ICP功......
红外焦平面探测器因为具有较高的分辨率、较强的抗干扰性能和较强的穿透能力,已经被广泛应用于军事和民用领域。碲镉汞（HgCdTe）材料......
宽禁带GaN材料由于其优良的电特性和材料特性在大功率微波和毫米波器件应用领域引起了广泛关注。本文主要关注氮化物基异质结双极......
提出了提高硅深反应离子刻蚀的新方法.该方法在硅的侧壁PECVD淀积SiO2,硅的底部采用热氧化的方法形成SiO2.由于在刻蚀中硅与SiO2的......
短波红外In Ga As探测器具有室温工作、探测率高等优点,在空间观测、环境监测以及军事领域等具有广泛的应用前景。基于短波红外In ......
氧化硅的干法各向异性刻蚀是芯片制造中的一项关键工艺技术，集成电路的制造发展到ULSI（甚大规模集成电路）阶段，图形密度越来越高，加工线......
