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TiNi形状记忆薄膜光刻工艺是此类MEMS器件制作的关键技术之一.研究了剥离工艺(lift-off)用于TiNi薄膜图形化的可行性,并首次利用溅射的金属Pt作掩膜进行TiNi薄膜湿法腐蚀.结果表明:溅射的Pt在HF/HNO<,3>.H<,2>O腐蚀TiNi过程中,具有抗腐蚀力强、与TiNi结合致密、不漂起的特点,是TiNi薄膜长时间腐蚀的理想掩膜材料.