【摘 要】
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当自旋极化的直流电流垂直通过一个纳米自旋阀结构时,会产生自旋传输矩效应,它在两方面具有应用前景：一是电流感应磁开关或stt-RAM,二是自旋传输矩振荡器.后者在片上微波
【机 构】
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清华大学微电子学研究所清华信息科学与技术国家实验室(筹),微纳电子系,北京100084
【出 处】
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2010(第三届)中国微纳电子技术交流与学术研讨会
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当自旋极化的直流电流垂直通过一个纳米自旋阀结构时,会产生自旋传输矩效应,它在两方面具有应用前景：一是电流感应磁开关或stt-RAM,二是自旋传输矩振荡器.后者在片上微波源和移动通信领域有着潜在的应用前景.STNO的应用受到两方面的制约：一是STO对外磁场的依赖.二是提高微波发射功率很困难.首先,全金属的纳米自旋阀结构,电阻变化最大只有百分之几,且易磁化轴的偏角很小,自旋波的发射功率的最佳值一般也只有0.1nW,满足不了实际应用的要求.提高振荡功率可以利用耦合自锁相方法,但是目前只实现了两个磁多层纳米柱的同步振荡,实际应用至少需要成千上万个振荡器同步振荡.
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