氮气雾化高温合金的研究

来源 :中国航空学会’95新型金属材料研讨会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:songfenhao3
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研究了含N MOS薄栅介质膜的击穿电场和电荷击穿特性。结果表明:MOS栅介质中引入一定的N后,能提高介质的电荷击穿强度,电荷击穿强度受NO退火温度的制约;N对薄栅介质击穿电场强度影
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