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氮气雾化高温合金的研究
【机 构】
:
北京航空材料研究所
【出 处】
:
中国航空学会’95新型金属材料研讨会
【发表日期】
:
1995年期
其他文献
研究了含N MOS薄栅介质膜的击穿电场和电荷击穿特性。结果表明:MOS栅介质中引入一定的N后,能提高介质的电荷击穿强度,电荷击穿强度受NO退火温度的制约;N对薄栅介质击穿电场强度影