【摘 要】
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本文在深入细致地分析RTD材料结构参数与器件特性参数关系的基础上,对以SI-GaAs为衬底的共振隧穿二极管(RTD)分子束外延(MBE)材料生长结构进行了设计.结果表明,用此材料研制成的RTD器件,室温电流峰谷比PVCR达到7.6:1,最高振荡频率为54GHz,开关时间为10s数量级,这些参数值表明,材料设计是成功的.
【机 构】
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天津大学电子信息工程学院(天津) 天津工业大学信息与通信工程学院(天津)
【出 处】
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第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
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本文在深入细致地分析RTD材料结构参数与器件特性参数关系的基础上,对以SI-GaAs为衬底的共振隧穿二极管(RTD)分子束外延(MBE)材料生长结构进行了设计.结果表明,用此材料研制成的RTD器件,室温电流峰谷比PVCR达到7.6:1,最高振荡频率为54GHz,开关时间为10<-11>s数量级,这些参数值表明,材料设计是成功的.
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