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中子辐射在器件制作工艺和抗辐射研究中占有重要的地位。本文介绍了半导体器件的中子辐射效应,包括位移效应和电离效应,分析了国内外半导体器件中子辐射的研究状况,对国内中子辐射的研究进展提出了期望。
半导体器件的中子辐射效应研究
【摘 要】
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中子辐射在器件制作工艺和抗辐射研究中占有重要的地位。本文介绍了半导体器件的中子辐射效应,包括位移效应和电离效应,分析了国内外半导体器件中子辐射的研究状况,对国内中
【机 构】
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华南理工大学物理科学与技术学院 广州 510640
【出 处】
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第十二届全国可靠性物理学术讨论会
【发表日期】
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2007年期
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