电迁徙相关论文
将带有ＴｉＮ、Ｍｏ和Ｗ阻挡层的Ａｕ金属化系统用在高频功率管上，对其ＥＢ结进行了高温大电流应力试验。结果表明采用ＴｉＮ作阻挡层的器件寿命比用Ｗ作阻挡层的......
本文研究了Ａｌ金属化系统中的回流效应，提出了一种全新三层金属化系统抗电迁徙结构，同时对新旧两种结构的金属化系统进行了各种动态应力......
本文对电迁徙参数电流密度因子n及n值的精确测量技术进行了深入研究．首次提出了动态电流斜坡电流密度因子测试法（DCR）．该方法与传统的M......
采用电流斜坡法测试了４种不同金属化样品，其ｎ值分别为：２．２９（Ａｌ－Ｓｉ合金膜），１．２５（Ａｌ－Ｓｉ－Ｃｕ合金膜），１．２８（Ａｌ－Ｓｉ／Ｔｉ双层金属化），１．２３（Ａｌ／ＴｉＷＴｉ／Ａｌ多层金属化）．结果表明，ｎ值与材料有关，电迁徙阻力越高ｎ值越小，与......
将带有ＴｉＮ、Ｗ和Ｍｏ阻挡层的Ａｕ金属化系统用在高频大功率三极管上，对其ＥＢ结进行了高温大电流应力和高温存储试验。结果表明采用ＴｉＮ作阻挡层的管子的......
介绍了一种与传统ＭＴＦ法完全不同的测量电流密度因子ｎ的新型动态电流斜坡测试法。测试了４种不同样品。结果表明，ｎ值与材料有关，并符合ＢＬＡＣＫ方程。......
晶片级测试方法是半导体器件（ＶＬＳＩ）金属化可靠性试验中的一种新方法，本研究在现有设备的基础上进行了一系列的设计和改进，建立了一套由微机......
设计了一种新型TiW膜自加热结构,产生沿金属化条长方向的温度梯度。文中采用独立的实验和测温金属条结构,利用电阻与温度间的线性......
近年来,随着卫星通讯、海底电缆、无线电摇控、电子对抗、大型电子计算机等的飞速发展,对功率晶体管的可靠性提出了越来越高的要......
本文用x射线衍射及I—V测量法研究了Al/TiSi_2/Si系统热稳定性及肖特基势垒特性。热稳定性的研究结果表明;系统在550℃以下退火是......
对于VLSI/ULSI中W通孔多层金属化系统,金属离子的蓄水池效应对其电迁移(EM)寿命的影响很大。本文对蓄水池效应进行了研究,设计了12......
利用三维有限元模型对Cu互连线通孔进行了电流密度、温度和温度梯度分布进行了模拟,比较了具有不同阻挡层材料通孔的电流密度、温......
为研究VLSI金属互连线的应力导致IC器件失效的问题,采用同步辐射源X射线衍射技术,原位测试了VLSI中Al互连线在电迁徙及加热条件下......
期刊
SiC金属．半导体场效应晶体管的工艺研制中，通常需要有源区之间的隔离。现常用刻蚀隔离的方法，但这一方法存在细栅条跨越隔离台阶的问......
为研究VLSI金属互连线的应力导致IC器件失效的问题,采用同步辐射源X射线衍射技术,原位测试了VLSI中Al互连线在电迁徙及加热条件下......
设计了一种新型ＴｉＷ膜自加热结构，产生沿金属化条长方向的温度梯度。文中采用独立的实验和测温金属条结构，利用电阻与温度间的线性关系精......
本文对Ｔｉ／Ｍｏ／Ｔｉ／Ａｕ作为栅金属的ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ进行了四种不同的应力试验：１．高温反偏（ＨＴＲＢ）；２．高压反偏（ＨＲＢ）；３．高温正向大电流（ＨＦＧＣ）；４．高温存贮（ＨＴＳ）．通过ＨＲＢ，ΦＢ从０．６４ｅＶ减少到０．６２ｅＶ，理想因子ｎ略有增大．ＨＴＳ试验中ΦＢ从......
本论文研究了ULSI中铜互连的可靠性问题。在铜互连可靠性的几个主要问题中，重点针对互连中的电迁徙和应力迁徙进行了探讨。通过电徙......
在现今大规模集成电路制造过程中，某些Memory，LCD产品的金属线刻蚀工序，在刻蚀生成聚合物的洗净过程中容易产成金属颗粒（主要是Cu颗粒）......
