【摘 要】
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土壤墒情在线监测系统是指在田间墒情监测点埋设三层(10cm、20cm、40cm)土壤水分传感器,现场数据采集终端系统将采集的土壤水分数据通过GPRS模块每小时上传一次至后台管理服务器,墒情管理软件对服务器数据库中的土壤水分数据进行分析统计等数据处理工作,实现土壤墒情的在线自动监测.本次比测试验选址在安徽阜阳插花站和阚町站以及亳州大寺站,其中阜阳插花站和阚町站两站为麦田,土壤类型为砂姜黑土,亳州大寺
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土壤墒情在线监测系统是指在田间墒情监测点埋设三层(10cm、20cm、40cm)土壤水分传感器,现场数据采集终端系统将采集的土壤水分数据通过GPRS模块每小时上传一次至后台管理服务器,墒情管理软件对服务器数据库中的土壤水分数据进行分析统计等数据处理工作,实现土壤墒情的在线自动监测.本次比测试验选址在安徽阜阳插花站和阚町站以及亳州大寺站,其中阜阳插花站和阚町站两站为麦田,土壤类型为砂姜黑土,亳州大寺站为药地,土壤类型为潮土,墒情试验站安装时间为2012年12月19日、20日,试验比测依据《土壤水分监测仪器通用技术条件(试行)》.
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激光掺杂在没有保护气体的氛围中同样会有氧原子等杂质的引入,从而影响电池的效率.本文是在以N2作为保护气体,对样品进行P掺杂,然后与没有保护气体进行掺杂的样品对比,通过测量他们的方块电阻、ECV曲线,进而得出保护气体对激光掺杂性能的影响.结果表明,保护气体能有效减少杂质的引入,一定程度改善电池的效率.
BBr3源进行硼扩散过程中通常会在硅片表面形成一层富硼层,富硼层的存在会使硅片载流子的寿命急剧降低.本文阐述了富硼层产生的原因,介绍了三种常用的去除富硼层的方法:直接氧化法、化学腐蚀法和氢氟酸-低温热氧化-氢氟酸法(HF-LTO-HF).并设计了一种HF/HNO3体系刻蚀去除富硼层的方法,通过ECV测试表征富硼层的去除情况,去除富硼层后得到的样品方块电阻均匀性有所提高,但反射率也有所提高,通过PE
本文采用双指数模型对硼氧复合体在p型硼磷补偿直拉单晶硅中所引起的光致衰减现象进行了研究.研究结果表明在p型补偿硅中硼氧复合体慢衰减过程中的生成激活能为0.43eV,这与非补偿硅中的值一致.所以,认为硼氧复合体在补偿硅中和在普通硅中的结构是相同的.另外,还发现补偿硅中硼氧复合体生成过程的指前因子变化规律也与普通硅中的无异.而这一现象可以用双氧原子在硅晶格中通过短程扩散向硼原子靠近从而最终形成复合体的
使用射频等离子体化学气相沉积(PECVD)技术制备纳米晶硅.用氩稀释硅烷(5％)作为气源,研究了射频功率、SiH4分压、反应气中氢含量对所制备的硅烷结构、性质的影响.XRD、TEM、IR的表征结果表明:功率不高于40W,制备的纳米硅是非晶结构;功率高于40W,纳米硅结晶,且晶粒大小随射频功率的增加而增大;反应气中掺入氢气,所制备的纳米硅晶粒大小减小,粒径分布更均一;SiH4分压对所制备的纳米硅晶大
在晶体Si衬底上生长非晶Si薄层的带有本征薄层的异质结(HIT)太阳能电池,具有制备工艺温度低、转换效率高、温度特性好等优点,是低价高效太阳能电池的一种.根据HIT相关文献,从HIT太阳能电池的原理、结构、制备工艺等角度,分析和总结了在制备HIT电池中,异质结能带结构、非晶硅层的制备方法、衬底材料的选择、发射极材料、背面场(BSF)等方面对提高HIT电池效率的影响.指出PECVD技术在制备HIT电
氮化硅涂层是多晶硅铸锭必不可少的脱模剂,完整的氮化硅涂层是保证硅锭从坩埚中顺利脱离的关键.本文重点研究了氮化硅涂层的失效机理,结果显示,氮化硅涂层的碳化是导致氮化硅涂层与硅熔体间非浸润性降低,从而导致氮化硅涂层失效的主要原因,氮化硅涂层的厚度、成分以及铸锭过程的气氛条件可显著影响氮化硅涂层的碳化.
利用AFORS-HET对a-Si:H(p)/i-a-Si:H/c-Si(n)异质结太阳能电池结构中发射层a-Si:H(p)的均匀掺杂和掺杂渐变的光伏特性进行了对比分析,实现了在梯度掺杂时22.32％的光电转换效率,658.4mV的开路电压,41.95 mA/cm-2的短路电流,83.63％的填充因子.并从能带结构、表面复合速率等角度出发,对比梯度掺杂与均匀掺杂对电池的影响.发现发射层的梯度掺杂与均
石津灌区王家井管理处是石津灌区管理局下属的五个管理处之一,近几年来通过建立健全各项用水制度,创新管理体制,大大增强了灌溉效益,实现了粮食增收、农民减负的目标,促进了灌区的跨越式发展.本文从基层管理的角度详细介绍了王家井管理处的一些具体做法.通过建立健全各项用水制度，成立用水户协会，推行“四到斗”、“四公开”，提高水的利用率，降低灌溉成本，减轻农民负担，增强管理透明度和用水户参与程度，通过服务树行业