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利用减压等离子体活性烧结制备了碳化硅涂层。研究了不同等离子体气流流量、真空室压力、电源功率、基板距离等工艺参数组合对涂层质量的影响规律。通过正交实验确定了优化工艺参数组合，在Φ50mm以及50×50mm的较大石墨基板上获得了厚度和成分均匀，结合良好的SiC涂层。沉积速率高达20μm/min。利用小型电弧等离子体风洞对制备的涂层进行了烧蚀实验，结果表明所制备的涂层在有氧高温高速气流环境下无剥落，可有效保护基体石墨。