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本文在多方面对长期存贮电路进行研究总结,得出经严格老化和静态温度试验的单片集成电路,在气密性良好的状态下长期存贮,其参数可以保持较高的稳定性.
单片集成电路非工作状态可靠性研究
【摘 要】
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本文在多方面对长期存贮电路进行研究总结,得出经严格老化和静态温度试验的单片集成电路,在气密性良好的状态下长期存贮,其参数可以保持较高的稳定性.
【机 构】
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西安微电子技术研究所西安81号信箱
【出 处】
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2005第十一届全国可靠性物理学术讨论会
【发表日期】
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2005年期
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