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研究了p型直拉单晶硅中经Ar气氛下750 ℃/4,8h+1050℃/0～16h低高两步热处理形成的氧沉淀对铜(Cu)沉淀的影响。经过择优腐蚀，结合光学显微镜观察发现，在没有引入氧沉淀的样品内，Cu沉淀表现为点状；而在引入氧沉淀的样品内，Cu沉淀都表现为团聚状，而且团聚状Cu沉淀的尺寸和密度随着氧沉淀的不同而变化。从氧沉淀作为Cu沉淀异质形核中心这一基本点出发，解释了团聚状Cu沉淀的形成机理；在此基础上阐述了团聚状Cu沉淀尺寸和密度随氧沉淀变化的原因。