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该文主要介绍了他们研制的全耗尽型硅探测器的反向击穿特性，包括击穿现象、击穿机理以及预防低压击穿的方法等。
全耗尽型硅探测器的击穿特性
【摘 要】
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该文主要介绍了他们研制的全耗尽型硅探测器的反向击穿特性，包括击穿现象、击穿机理以及预防低压击穿的方法等。
【机 构】
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清华大学微电子学研究所
【出 处】
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第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会
【发表日期】
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1997年期
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