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以硅(Si)材料为基础的工业半导体取得了前所未有的进步,然而其较小的带隙无法满足半导体器件在高压、高频、高功率以及短波长发光和......
相比于传统的第一代、第二代和第三代半导体,β-Ga2O3作为一种新型的半导体材料,具有4.8-4.9 e V的超宽禁带宽度和8 MV/cm的超高临......
GaN基半导体材料具有禁带宽度大、电子饱和速度高、击穿电压大等良好的电学性能,在微波大功率和高压开关电路领域具有很大的发展潜......
学位
随着全球通信网络技术的高速发展,光互连以其宽频带、低损耗、抗干扰等优势逐渐成为代替传统电互连的理想通信方式。在整个光通信......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
期刊
随着射频/微波器件的快速发展及其应用领域的日益扩大,基于半导体单片集成技术的多种器件集成工艺不断发展.研究了一种采用A1GaAs-......
采用增强/耗尽型(E/D)结构的赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)技术,研制开发的射频开关,具有插损低、隔离度高、承受功率大、线性度高等......
食品企业要想走可持续发展的道路,节能降耗是需要突破的重要问题。要么是可持续发展,要么是“资源耗尽型”发展,在这种严峻形势的考验......
优化了GaAs基InGaP/AlGaAs/InGaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)的外延结构,有利于获得增强型PHEMT的正向阈值电压.采用光学接触式......
基于一款LED驱动芯片中耗尽型高压NLDMOS器件的参数要求,提出一种耗尽型高压NLDMOS的器件结构和参数设计优化方法。分析了沟道注入......
提出了一种基于耗尽型工艺的单节锂离子电池充电保护芯片设计。阐述了此芯片的设计思想及系统结构,并对芯片关键电路的独特设计方法......
采用增强/耗尽型(E/D)结构的赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)技术,研制开发的砷化镓MMIC单片六位数字控制衰减器,具有衰减精度准确、承受功......
期刊
本文针对这一问题,在把MOS管结构及其应用电路作简单介绍后,重点介绍了实际产品的特点、检测判断的最佳方法,及典型应用举例。......
基于氮化镓的高电子迁移率场效应晶体管(GaN HEMT)具有电子迁移率高、耐高温和极低的寄生电容等诸多特点而成为开关变换器领域关注的......
期刊
与传统的非晶硅(a-Si)薄膜晶体管(thin film transistor,TFT)相比,耗尽型非晶铟锌氧化物薄膜晶体管(a-IZO TFT)具有高载流子迁移率......