击穿现象相关论文
随着功率的不断提高,高功率真空电子器件中的击穿成为一个瓶颈问题.粒子模拟是真空电子器件研究的重要方法,本文给出击穿相关的二......
介绍了国内外利用分形理论对绝缘介质内击穿现象进行仿真研究的发展情况.在MATLAB环境下分别仿真了二维模型NPW和WZ模型,得到了与......
我公司于2011年7月份购买了60台金龙KLQ6128GC城市公交客车,配置YC6G260N-30 LNG发动机,运行一段时间后,发现部分车辆上的火花塞陶......
２ｎ组合抗电试验法是根据组合原理、针对产品抗电试验要求设计的一种以最少的试验次数达到理想试验效果的新方法
2n composite resis......
本文介绍了用ＭＣ－５１单片机及其外国电路组成离子泵智能控制器的特点，主要技术性能，设计指导思想，系统的软硬件设计及对整机可靠性所采取的技......
在实验研究的基础上，对晶体管二次击穿现象的原因提出一种新的观点，并进而讨论避免二次击穿的思路。
Based on the experimental re......
采用可控的金属沾污程序 ,最大金属表面浓度控制在 10 1 2 cm- 2数量级 ,来模拟清洗工艺最大可能金属沾污表面浓度 .利用斜坡电流......
一、前言高频电源是影响线切割机生产效率的主要因素之一。因此,我们设计制造了一种高频电源,其末级采用了低频大功率硅管做单管......
随着新材料新技术的不断发展,等离子弧的工艺方法越来越多,引弧问题直接影响到某种方法的应用和推广。目前,引燃等离子弧常采用高......
综合考虑高功率微波强电场作用下的热致快速电子效应、碰撞频率、电离频率等充分体现高功率微波特性的参量模型,基于高功率微波混......
农村小水电站40千瓦以下的自励恒压式水轮发电机,往往不设整流控制屏。因此,在发电机过电压和受雷击时,硅管经常被击穿,造成停机......
某车型在正面偏置碰撞中，驾驶员头部与胸部发生气囊击穿现象。根据Euro-NCAP评价规则，驾驶员在主观修正项中被罚掉2分。针对此问......
ＫＢ－５００型Ｘ线机故障１例分析山东省邵城县人民医院放射科刘兆跃最近我院购置一台ＫＢ－５００型Ｘ线光机，安装完毕后，通电调试。发现：低压电路通电试验正常，接通......
利用脉冲激光沉积技术（ＰｕｌｓｅｄＬａｓｅｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）首次制备出非晶碳－聚酰亚胺复合薄膜，用其做为冷阴极，观察到其场致电子发射的预击穿现象，预击穿后阈值场强为７Ｖ／μｍ，最......
一、故障现象:取任意KV曝光摄片时,均出现过载,表现为毫安无限大(mA表指针到头),并同时出现高压发生器内发出嗡嗡的响声和整机振......
采用金属-膜-金属结构测量了黄铜在BTA-PVA(Passivating agent)钝化剂中形成的表面多层化学转化膜的导电性,结果表明:膜为半导体,......
一、引言在对一批进口压缩机进行安全性能测试过程中，我们发现如下问题：第一次抽检５台，高压出口开放，低压人口堵塞，工作３０ｓｅｃ，压缩机内部呈低气......
1994年6月28日,浙江永嘉县清水埠供电所.在10KV江北615线29号杆的分支线路末端杆上安装油开关、计量箱等工作.线路工腾成伟(男,32......
是加在PN结上的反向电压增大到一定数值时,出现的一种击穿现象。PN结中的电子和空穴在强电场作用下,获得极大的动能,并去碰撞其它......
超薄ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ漏击穿机理的分析＝Ａｎａｌｙｓｉｓｏｆｔｈｅｄｒａｉｎｂｒｅａｋｄｏｗｎｍｅｃｈａｎｉｓｍｉｎｕｌｔｒａ－ｔｈｉｎ－ｆｉｌｍＳＯＩＭＯＳＦＥＴ，ｓ［刊，英１］／Ｙｏｓｈｉｍｉ．Ｍａｋｏｔｏ∥ＩＥＥＥＴｒａｎｓ．ＥｌｅｃｔｒｏｎＤ...
Analysis of leakage breakdown mechanism of ultrathin SOIMOSFET = Analysisofthedrainbreakd......
美国新泽西州一家公司发展了一种新的激光技术,它能提供基本的数据,帮助改进绝缘体,供电力传输线和变压器之用。该技术使用一种新......
业已叙述的实验装置,采用10厘米直径的平面电极。由于光制质量对预击穿电流有显著影响,所以要特别注意电极的机械抛光(砂纸颗粒要......
低频大功率金属氧化物场效应管是近年来国外研制的一种半导体器件。较之一般的晶体管,这种器件具有:驱动电动小,功率增益高,传递......
上海科大半导体器件物理研究室自1979年9月对VMOS场效应管开始研究,经过一年多的努力,解决了一系列技术上的关键问题,研制成了“......
(一)引言 在光电发射体以及光电器件的研究中,都要应用碱金属源。碱金属源分为中性源和离子源两大类。在研究Ⅲ—Ⅴ族光电发射体......
现正研制S波段高峰值功率电平复合式反同轴磁控管。本报告讨论该管在40毫微秒窄脉冲(窄脉冲形成网络)条件下的实验特性、空气预击......
本文介绍了两种类型无截获栅控枪(即:单一栅和四极管型无截获栅控枪)的工艺结构设计。给出了阴栅结构设计的基本方法以及阴极几何......
本文根据基区扩展效应,以集电区N~-层掺杂浓利和厚利为因素,导出晶体管扩展基区宽度的数学表达式。这些数学表达式说明晶体管集电......
本文分析了非对称结构GaAsMESFET的栅结在反偏置条件空间电荷区的穿通引起的栅结低击穿现象。给出了穿通后击穿电压的计算公式及曲......
由于真空灭弧室比其它形式的灭弧装置优越得多,因此在配电装置中得到了越来越广泛的应用。真空灭弧室所用材料的体积最小、寿命最......
前言在电路设计时,应该充分考虑各种加到晶体管上的应力。否则,晶体管会遭到一种“冷死”(cold death)的情况,即当晶体管还没有发......
自从具有纵向导电结构的MOS场效应管问世以来,MOS场效应管在功率和频率特性方面有了很大的突破。目前功率MOS场效应管所能承受的......
2011.7—2011.8期间keV能区靶测试实验出现底衬击穿现象,为了解决这一问题,利用FloWizard有限元分析软件,模拟计算了核反应靶头温......
硅面垒探测器是半导体核辐射探测器中发展较早的一种器件,大多数情况下,采用N-型硅单晶,有些实验室也使用P-型硅单晶制备面垒探测......
１．１２用于水介质传输线的去离子水循环装置金继增，陆泽，杨淑清，单玉生由于双向泵浦传输线管道长约３ｍ，如果水质差，电压、能量在水介质中的损失就......
故障:HA99(Ⅲ)P/T电话机,可正常拨号通话,但从其
Fault: HA99 (Ⅲ) P / T phone, you can dial the call normally, but from it......
福日彩电开关管易损的处理江西南康市荷田中学梁应亮我部最初在保修期内的几台福日ＨＦＣ－２１７５型彩电，在正常收看了几个目Ｚ后，就陆续返修，但故障现......
高频电源经常因为楷路电容打火击穿而造成停振及跳闸，在电容器合格的前提下，打火击穿的原因主要有以下几个方面：1．精路电容器的比例配......
故障现象:彩电启动困难,但如果一旦启动后,彩电可以一直工作下去;而不能启动时,彩电面板指示灯一闪即灭,同时机内发出“吱”的一......
对损坏了的集成电路进行解剖分析,发现有40～45％是由于内部击穿而造成的,击穿便意味着内电路短路。对于内部击穿性的集成电路,目前发......
