【摘 要】
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本文采用HHNEC0.18um标准CMOS工艺设计实现了多个1Kb容量的阻变存储器电路。针对WOx阻变材料的操作特性特点，提出了可切换的写电路以及自调节的读参考电路，实现了Unipolar与Bipolar兼容操作的需求的同时提高了读操作的成功率。引入位线限流模块解决了set过程需要字线限流的问题，进而可以实现‘0’和‘1’多bits数据的同时写入。芯片采用高低两种电压设计，同时包含多种阵列尺寸结构
【机 构】
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The Institute of Microelectronics of Tsinghua University Beijing , 100084 , China
【出 处】
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议
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本文采用HHNEC0.18um标准CMOS工艺设计实现了多个1Kb容量的阻变存储器电路。针对WOx阻变材料的操作特性特点，提出了可切换的写电路以及自调节的读参考电路，实现了Unipolar与Bipolar兼容操作的需求的同时提高了读操作的成功率。引入位线限流模块解决了set过程需要字线限流的问题，进而可以实现‘0’和‘1’多bits数据的同时写入。芯片采用高低两种电压设计，同时包含多种阵列尺寸结构的对比测试电路。
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表面等离子体在中远红外范围具有特殊的性能。利用周期性的金属光栅和二维孔阵列结构的表面等离子效应有利于将中远红外光场限制在金属-半导体界面，从而，增强光的发射和吸收。本文介绍了表面等离子体增强结构在量子级联激光器和量子级联探测器研究方面的应用，给出了最新研究结果。
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