论文部分内容阅读
本文分析了离子注入机中晶片电荷积累的原因及影响,讨论了几种中和方法,并利用电子中和技术原理,设计了电子淋浴器,实际应用于强流离子注入机.改善了晶片上的电荷积累.
强流离子注入机防晶片电荷积累设计
【摘 要】
：
本文分析了离子注入机中晶片电荷积累的原因及影响,讨论了几种中和方法,并利用电子中和技术原理,设计了电子淋浴器,实际应用于强流离子注入机.改善了晶片上的电荷积累.
【机 构】
：
中国电子科技集团公司第四十八研究所,长沙,410111
【出 处】
：
第十三届全国电子束、离子束、光子束学术年会
【发表日期】
：
2005年4期
其他文献
用原子力显微镜对不同淀积条件下制备的低应力LPCVD氮化硅薄膜的表面粗糙度进行了测量,发现了低应力LPCVD氮化硅薄膜的表面粗糙度可以在几个纳米到几个埃之间变化.同时发现在各种工艺条件中淀积压力对低应力LPCVD氮化硅薄膜的表面粗糙度影响最为显著.
牺牲层释放技术是制备薄膜器件的关键技术之一,牺牲层去除能释放表面硅工艺中的薄膜悬浮结构,或形成空腔.然而在释放过程中,多数情况下会出现粘连现象,导致结构失效.为解决该黏附问题,基于固态升华原理研制了一种牺牲层释放设备.结合牺牲层释放的特殊工艺要求,分析了其主要结构及特点.最后采用该设备对一种微机械可变衰减器进行了结构释放,实验证明该设备可以成功应用于富硅型低应力氮化硅薄膜器件的牺牲层释放工艺.
极紫外光刻中掩模板热变形是不可忽略的.本文采用有限元方法,针对工业化生产条件(80wafer-per-hour)计算掩模板热变形.抗蚀剂感光度为7mJ/em2时,x-y平面内最大变形为1.6rm,z方向最大变形为0.27nm.掩模板热变形引起掩模图形偏移,最大偏移为1.6nm.经过曝光显影,对于45nm密集线,掩模板热变形引起抗蚀剂图形的CD变化0.06nm、侧壁角度变化1.78°、抗蚀剂图形最大
作为极紫外光刻机的一个关键子系统,真空工件台的运行精度、速度、加速度以及动态定位和扫描同步性能是影响整机成像质量、套刻精度和产率的重要因素.对于工件台的结构设计,体积小、轻量化、好的散热性是基本要求.基于上述原因,本文设计了适用于45nm节点的极紫外光刻工件台系统,并用ansys软件对其进行了结构仿真分析.根据仿真结果,提出了优化设计方案.
随着集成电路(IC)芯片制备中最小线宽的不断缩小和浸没式光刻技术的引入,像差对特征图形尺寸的影响规律需要进一步研究.在65nm分辨率节点处,分别采用传统和环形两种照明方式,讨论浸没式ArF光刻中杂散光、运动标准偏差(MSD)和光线偏振等因素作用下,像差对特征图形尺寸的影响.分析结果表明:杂散光、MSD和光线偏振等因素对像差引起线宽变化的影响明显,当杂散光量和MSD值增加或偏振方向和特征图形线条方向
深度光刻技术是LIGA技术的关键和核心,该技术的研究是一个综合过程,包括光源性能,曝光设备性能,光刻胶性能,显影技术等多方面的影响.本文通过对光源性能的研究和光刻胶性能的研究,探讨北京同步辐射深度光刻的潜能,挖掘出LIGA技术的深度光刻能力,满足各方面对LIGA技术的需要.
以国产某型号继电器为例,测试了其簧片气隙的大小和分布情况;利用继电器金属簧片进行了大量的校正测试,测试结果表明校正量h与激光测量点到激光校正点的间距x2成正比例线性关系,激光功率越大、照射时间越长,校正系数值越大,获得的校正量也越大.分析和计算证明,选择合适的激光功率与时间参数,利用激光对该继电器的簧片气隙进行校正是可行的;结合气隙大小的测试数据分析可知,生产线上绝大多数继电器的簧片气隙调整只需通
提出了在a-SiNx/a-Si:H/a-SiHx三明治结构或a-Si:H/a-SiNx多层膜结构中纳米硅成核、并且限制性生长从球形到鼓形的过程.基于经典热力学理论,建立了限制性晶化理论模型:纳米硅生长过程中界面能增大导致生长停止,给出限制性晶化条件--a-Si:H层厚度小于34nm.在激光晶化形成的SiNx/nc-Si/SiNx三明治结构和nc-Si/SiNx多层膜结构中验证了理论模型.
采用不同网格尺寸的透射电镜铜网作为掩模,采用烷烃硫醇类小分子自组装单层作为光刻胶,光学质量的云母为衬底,用亚稳氦原子光刻技术制备具有纳米台阶的金膜图形.通过原子力显微镜分析,证明:这种技术可以将具有纳米台阶的正负图形可以很好的传递到金膜,具有高的可信度.同时,在不同时的实验中光刻图形的重复性很好.