立方和六方纳米结构的声子特性

来源 :中国物理学会2016年秋季会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:liongliong549
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  体相材料中的声子及其相互作用在固体物理、固体电子学、光电子、热输运、量子电子学等领域起着重要的作用。纳米结构中的声子对研究维度限制声子具有指导意义,并导致纳米结构中声子效应和声子工程。
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低维电子和玻璃声子输运是提高热电材料效率的两个重要的因素,并且构成了热电研究领域的两个重要的分支。一种方式是我们可以控制低维材料的电子传输,另一种方式是在块体材料中应用声子工程。目前的工作已经能够将两者很好的结合起来,即将声子工程运用到低维材料中。本文中,我们提出了将低维电子传输运用到块体的声子玻璃晶体中,通过这种方式来增加热电效率。
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二维层状材料过渡金属硫属化合物(TMDs)的光学和电学性质受其内部缺陷的影响非常巨大[1-3]。在本报告中,我们将通过低温荧光光谱研究TMDs 材料中的缺陷,并将其与材料的光学、电学性能相对应。我们发现,在不同温度生长获得的CVD 单层MoS2 样品,其尺寸、发光强度等随生长温度有显著变化。
稀磁半导体(Diluted magnetic semiconductors,DMSs)因兼具磁性和半导体特性而引起广泛研究,预计应用于自旋电子器件、自旋-场效应晶体管以及自旋基量子计算机等[1]。其中过渡金属掺杂的GaN 因可以实现室温铁磁成为了现在的研究焦点[2]。我们利用化学气相沉积法制备了高质量表面无缺陷的Mn 掺杂GaN 纳米线,利用扫描电子显微镜(SEM)和能谱仪(EDS)观察了其结构、
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外尔半金属材料中外尔节点附近的电子满足三维外尔方程,是具有手征性的外尔电子。与石墨烯材料中的二维狄拉克电子类似,Klein 隧穿使外尔电子能百分之百穿透台阶势垒。我们研究了量子阱或层状量子势垒结构中的外尔电子行为。能量高于半阱深的电子能够被量子阱捕获于其附近的限制态中。
太赫兹量子级联激光器(THz QCL)是一种基于子带间电子跃迁的单极发光器件。在1 到5THz 频率范围内,THz QCL 是最有效的THz 辐射源。传统的THz QCL 器件的频谱一般是窄带分布。即使在高电流下,器件发射谱也不能均一覆盖连续的频率范围。