【摘 要】
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本文结合近年来破坏性物理分析(DPA)及失效分析工作的实践,介绍了电子元器件内引线键合失效的主要模式：金铝化合物引起失效；键合丝腐蚀失效；内涂料引起键合丝断裂失效；键合应力过
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本文结合近年来破坏性物理分析(DPA)及失效分析工作的实践,介绍了电子元器件内引线键合失效的主要模式：金铝化合物引起失效；键合丝腐蚀失效；内涂料引起键合丝断裂失效；键合应力过大造成失效；管壳镀层质量造成的键合失效；工艺差错造成的键合失效,并对其形成机理进行分析,同时给出典型案例图片,从设备、芯片A1层、引线、外壳质量和键合工艺及环境等方面提出工程改进措施。
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