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介绍了确定CMOS运算放大器各级工作点的恒流源偏置电路随辐照总剂量变化的响应特征，及其辐照敏感性对运放整体性能参数的影响规律。结果表明，恒流源特性的衰降对电参数的变化有一定的影响，但在一定范围内并不是造成辐射感生运放电参数衰变的最主要原因。
CMOS运算放大器恒流偏置电路的电离辐射损伤特性
【摘 要】
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介绍了确定CMOS运算放大器各级工作点的恒流源偏置电路随辐照总剂量变化的响应特征，及其辐照敏感性对运放整体性能参数的影响规律。结果表明，恒流源特性的衰降对电参数的变化有
【机 构】
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科学院新疆物理研究所(乌鲁木齐)
【出 处】
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第九届全国核电子学与核探测技术学术年会
【发表日期】
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1998年期
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