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生长在驰豫SiGe层上的Si产生张应变，使载流子的迁移率显著提高，因此应变Si NMOSTET可以得到非常好的性能。本文在讨论分析了应变SiNMOSFET的结构特性和器件物理的基础上，推导泊松方程求出解析的阈值电压模型和迁移率模型，并用Matlab模拟了迁移率和锗组分之间的关系，与参考文献取得了一致的结果。此模型作为对NMOSFET进行模拟是非常有用的工具。