【摘 要】
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对多种结构AlGaN/GaN HEMTs施加直流偏置应力,研究AlGaN/GaN HEMTs电流崩塌效应的变化规律,并进一步研究电流崩塌效应的产生机理.Si3N4钝化可以缓解但不能完全抑制电流崩塌效应,经过优化Si3N4介质钝化的器件电流崩塌程度对偏置电压成规律性变化,说明AlGaN/GaN HEMTs的电流崩塌效应是由AlGaN表面态和材料体缺陷共同作用的结果.与开启状态相比,器件在夹断状态下有
【机 构】
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中国科学院微电子研究所,100029
【出 处】
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第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
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对多种结构AlGaN/GaN HEMTs施加直流偏置应力,研究AlGaN/GaN HEMTs电流崩塌效应的变化规律,并进一步研究电流崩塌效应的产生机理.Si3N4钝化可以缓解但不能完全抑制电流崩塌效应,经过优化Si3N4介质钝化的器件电流崩塌程度对偏置电压成规律性变化,说明AlGaN/GaN HEMTs的电流崩塌效应是由AlGaN表面态和材料体缺陷共同作用的结果.与开启状态相比,器件在夹断状态下有更显著的电流崩塌效应,而且电流崩塌效应和肖特基反向泄漏电流随栅偏置电压的变化趋势具有一致性,说明肖特基栅反向泄漏电流是引起电流崩塌效应的重要原因。
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