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我们报道利用金属有机化学气相沉积技术制备高性能的2～3 μm InAs/InGaAs/InP 量子阱激光器。
基于MOCVD高性能InP基2~3μm量子阱激光器
【摘 要】
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我们报道利用金属有机化学气相沉积技术制备高性能的2～3 μm InAs/InGaAs/InP 量子阱激光器。
【机 构】
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中国科学院半导体研究所材料科学重点实验室,北京100083
【出 处】
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第十届全国激光技术与光电子学学术会议
【发表日期】
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2015年期
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