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采用ITO/Ti305薄膜结构作为高亮度AlGaInP LED的电流扩展层,窗口层,电流阻挡层和增透膜层.通过在电极下形成肖特基结,避免电极下方无效电流注入,提高局域电流密度.通过ITO/Ti305增透膜设计提升LED的光提取效率.具有该ITO/Ti305薄膜结构的主波长621nm的高亮度A1GaInP LED芯片(150×150um2)较传统结构芯片发光强度提升40%,20mA注入电流下,电压均值在2.1V左右.