【摘 要】
：
用MOCVD方法生长了n-InP/n-InP/SI-InP材料，以HfO为介质膜，用电子束蒸发和选择化学腐蚀研制成栅宽0.002mm、栅长为0.2mm的具有蘑菇状栅极结构的InP MISFE。直流特性测量表明，跨
【出 处】
：
全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议
论文部分内容阅读
用MOCVD方法生长了n<+>-InP/n-InP/SI-InP材料，以HfO<,2>为介质膜，用电子束蒸发和选择化学腐蚀研制成栅宽0.002mm、栅长为0.2mm的具有蘑菇状栅极结构的InP MISFE。直流特性测量表明，跨导g<,m>=80-115ms/mm，开启电压V<,T>≌-3.62V，沟道的有效电子迁移率u<,eff>=674cm<2>/V·S，界面态密度N<,ss>=9.56×10<11>cm<-2>。设计计算的特征频率f≌97.1GHz，最高特征频率f<,max>≌64.7GHz，尚未发现器件性能的漂移现象。该器件可作为InP基的单片光电子集成器件(OEIC)的放大部分。
其他文献
该文针对磷化液现行理化检测要求存在的问题进行分析，通过相关试验，指出原因，并提出改进意见。
阐述了中温磷化成膜机理、配方设计模型，提高Ｐ比的方法，磷酸二氢盐的制取，氧化促进剂的作用和添加方法，酸度调整及减少磷化渣的工艺措施。
The mechanism of medium temperature
系统讨论了磷化物掺杂剂的历史沿革、作用、机理和使用过程中应注意的问题。磷化物与钽作用生成Ｔａ〈，３〉Ｐ；烧结时磷在晶体界析出，起到了烧结抑制剂的作用，从而提高了钽粉的比容；掺杂剂
该文从减少工艺流程、降低成本、节约能源出发，研究开发出一种新型常温磷化液（＞８℃）。
磷化液中锌、钙、铁、镍的测定陶明（西昌师范专科学校化学系西昌６１５０２２）袁华（四川师范大学化学系成都６１００６８）关键词磷化液光度测定滴定中图分类号Ｏ６５７．３２进行金属的磷化时，磷化液中各组分的量随着磷化
提出了一种故障模拟方法——多故障信息标志的临界路径跟踪。虽然其基本概念类似于临界路径跟踪（CPT）和故障信息跟踪（FIT）,但是这种方法能大大减少扇出源的分析数量,故障在FFR中