【摘 要】
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纳米技术的发展,特别是在半导体领域制作工艺上的成熟,已经可以成功地利用化学或物理方法制备出许多低维人造结构,如零维量子点、量子线、和一些量子花样.其中量子点的典型尺
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纳米技术的发展,特别是在半导体领域制作工艺上的成熟,已经可以成功地利用化学或物理方法制备出许多低维人造结构,如零维量子点、量子线、和一些量子花样.其中量子点的典型尺寸可以从几个纳米到几个微米,包含了约10<3>-10<9>个自然原子.但是,在半导体量子点中,除少部分自由电子外,其它所有电子被紧紧地束缚在原子核周围,半导体量子点中的自由电子可以是一个,也可达几千个,并且可以人为地从外部向量子点内依次注入单个额外(excess)电子.当今的制备技术可以精确地控制这些量子点的尺寸和形状,其对自由电子的约束限制势来自量子点与周围母体材料之间能带的不连续性,或是通过微电极施加的静电场.该文研究了球型量子点和由球型量子点组成的量子花样体系的额外电子填充特性,得到了一些类原子和分子的性质,如分立的能级和额外电子填充的壳层结构.该文还研究了体系的电导谱和电容谱以及电子自旋组态的变化规律.
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